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VACUUM DEVICE磁控濺射原理分析
真空工業(yè)中的濺射是指用正離子轟擊目標(biāo)金屬，使目標(biāo)金屬的顆粒飛散并沉積在物體上。
本頁(yè)簡(jiǎn)要說明了我們產(chǎn)品中主要使用的磁控濺射原理和其他具有代表性的濺射方法。
散射粒子的濺射技術(shù)有多種，但我們的濺射設(shè)備采用磁控濺射技術(shù)，濺射效率高。
原理是先在真空中產(chǎn)生等離子體。
等離子體是一種不穩(wěn)定的狀態(tài)，其中帶正電的氣體離子原子（正離子）和帶負(fù)電的自由電子自由循環(huán)。由于放置在目標(biāo)后面的磁鐵的作用力，它被密集地捕獲在磁場(chǎng)中。在此磁場(chǎng)中來回移動(dòng)的正離子一個(gè)接一個(gè)地與靶表面的負(fù)電勢(shì)發(fā)生碰撞。
由此彈開（濺射）的目標(biāo)金屬粒子將飛向樣品。
即，通過借用磁鐵的力量，能夠以較少的電力高效地產(chǎn)生等離子體，正離子聚集在磁場(chǎng)強(qiáng)的地方反復(fù)碰撞，成為濺射效率高的成膜方法。
磁控濺射法的特點(diǎn)
由于高密度等離子體區(qū)與樣品臺(tái)分離，對(duì)樣品的損傷小。
沉積率高
目標(biāo)利用率低。在高血漿密度下消耗更多
目標(biāo)僅限于導(dǎo)電金屬和合金
磁控濺射設(shè)備配置圖
磁控濺射
相關(guān)產(chǎn)品介紹
| 設(shè)備 | 特征 | 目標(biāo)金屬 |
 | MSP-mini 超小型濺射設(shè)備 對(duì)于光學(xué)顯微鏡，這是適合制作有光澤的 Ag 薄膜以及 SEM 和臺(tái)式 SEM 預(yù)處理的裝置。 |    |
 | MSP-1S 是一款帶有內(nèi)置泵的緊湊型濺射系統(tǒng)。 也可用于濺射鉑靶，可用于高達(dá)約50,000倍的高倍率觀察。 |   |
| 設(shè)備 | 特征 | 目標(biāo)金屬 |
 | MSP-20UM 針對(duì)各種應(yīng)用的可調(diào)功能。設(shè)置條件后，可以使用全自動(dòng)按鈕進(jìn)行自動(dòng)沉積。 可選傾斜旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)。提高轉(zhuǎn)彎性能。 配備氬氣導(dǎo)入，可鍍上更高純度的貴金屬薄膜。 聯(lián)鎖和安全機(jī)構(gòu)也是重要的濺射設(shè)備。 |      |
 | MSP-20MT 配備φ100mm尺寸的靶電極的4英寸晶圓用濺射裝置。 該設(shè)備概念基于 MSP-20，可對(duì)更廣泛的樣品進(jìn)行涂層。 | |
 | 該設(shè)備專為MSP-20TK鎢濺射而開發(fā)。它還可用于超高分辨率 SEM 觀察。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。 氬氣用作氣氛氣體。風(fēng)冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升。 |        |
| 設(shè)備 | 特征 | 目標(biāo)金屬 |
 | 采用磁控靶電極實(shí)現(xiàn)了直徑200mm的大面積樣品臺(tái)，滿足更大尺寸MSP-8in硅基板的需求。更大的樣品臺(tái)可同時(shí)鍍膜8英寸晶圓和多個(gè)SEM樣品，提高檢測(cè)工作效率。 |      |
 | 采用磁控靶電極實(shí)現(xiàn)了直徑300mm的大面積樣品臺(tái)，滿足更大尺寸MSP-12in硅基板的需求。更大的樣品臺(tái)可同時(shí)鍍膜12英寸晶圓和多個(gè)SEM樣品，提高檢測(cè)工作效率。 | |
