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shinkuu金屬濺射儀的方法及原理分析
飛濺這個詞描述了小顆粒的散射。
“splutter"這個詞據說是一個擬聲詞，意思是分散。
如果你想象一下說話時唾液中的水滴，或者電弧焊時飛濺的火花，可能會更容易理解。
在真空工業(yè)中，濺射是指用陽離子轟擊目標金屬，使目標金屬的顆粒分散并沉積在物體上。
本頁簡要介紹了我們產品中主要使用的磁控濺射原理以及其他典型的濺射方法。
分散粒子的濺射技術有多種，但我們的濺射設備采用磁控濺射技術，其濺射效率高。
其原理是首先在真空中產生等離子體。
等離子體是一種不穩(wěn)定狀態(tài)，其中帶正電的氣體離子原子（陽離子）和帶負電的自由電子自由飛行。放置在目標背面的磁鐵的力將其捕獲在高密度的磁場中。在該磁場中移動的正離子相繼與具有負電勢的目標表面碰撞。
被扔掉（濺射）的目標金屬顆粒飛向樣品。
換句話說，通過利用磁體的力量，可以用很少的電力有效地產生等離子體，并且正離子聚集在磁場強的區(qū)域并反復碰撞，從而形成高效的濺射方法。
由于高密度等離子體區(qū)域與樣品臺分離，因此對樣品的損傷較小。
成膜率高
目標使用效率較差。高等離子體密度導致高消耗
目標僅限于導電金屬和合金
它被認為是直流濺射的原型，也稱為平行板類型。以靶材作為負極、樣品側作為正極施加電壓，產生等離子體并從靶材中噴射出金屬顆粒。
雖然結構簡單，但產生等離子體需要大量的氣體和電壓，因此引入的氣體會干擾成膜效率。此外，還有一個缺點是，由于帶負電的電子流動，樣品側面變熱，增加了對樣品的損壞。
結構簡單
產生等離子體需要大量能量
負離子流入正極，樣品損傷大
目標僅限于導電金屬和合金
可以濺射絕緣體。
高頻電源通過匹配盒向電極供電。當等離子體產生時，正離子和負離子被高頻波激發(fā)并流向目標和樣品。負離子傾向于流向具有較大導電面積的樣品側，結果，樣品側變成正極，而絕緣目標側被施加負偏壓。陽離子與負偏壓靶碰撞，濺射絕緣體。
絕緣體可能發(fā)生濺射。
與直流濺射相比，速率較低，對樣品的損傷較大。
高頻電源昂貴且復雜，通常使用指用于工業(yè)用途的頻率 (13.56MHz)。
無電極感應放電也是可能的。
磁控濺射設備的原理是利用靶材背面的強磁鐵促進陰極表層電離，然后利用磁場使離子與靶材碰撞并釋放出金屬分子。
金和鉑等貴金屬主要用于電子顯微鏡應用。我們還有一系列可以濺射其他金屬靶材的型號。
Au：金
觀察面積：數千至10,000倍
Au-Pd：金鈀
觀察面積：10,000至50,000倍
適合低倍率觀察，對比度良好。
Pt：鉑
觀察面積：10,000～50,000倍
Pt-Pd：鉑鈀
觀察面積：30,000～50,000倍
粒徑細小，常用于高倍率觀察。
W：鎢
觀察區(qū)：顆粒的細度是
鋨的10,000至100,000倍。如果引入鋨有困難，可以考慮作為一種選擇。
只需用計時器設置涂層時間并按下開始按鈕即可！
任何人都可以輕松地進行濺射加工。
| 設備 | 特征 | 目標金屬 |
|---|---|---|
 | MSP-mini 超緊湊型濺射設備 非常適合創(chuàng)建光學顯微鏡、SEM 的銀光澤薄膜以及臺式 SEM 的預處理。 | 銀、金 |
 | MSP-1S 是一款內置泵的小型濺射裝置。 還可以濺射鉑靶，并可用于高達約 50,000 倍的高倍率觀察。 | 銀、金、金-鈀、鉑、鉑-鈀 |
MSP20系列以高功能和易于操作的理念開發(fā)。該系列具有滿足各種需求的性能，包括調節(jié)功能、自動排氣順序和聯(lián)鎖功能。 MSP20-MT能夠濺射4英寸靶材，MSP20-TK能夠濺射鎢。
| 設備 | 特征 | 目標金屬 |
|---|---|---|
 | MSP-20UM 具有廣泛的調節(jié)功能，可用于各種目的。設置條件后，可以使用全自動按鈕進行自動薄膜沉積。 可選擇傾斜和旋轉樣品臺。包裹性能得到改善。 配備氬氣導入裝置，可鍍上更高純度的貴金屬膜。這是一種具有完整聯(lián)鎖/安全機制的濺射裝置。 | 銀、金、金-鈀、鉑、鉑-鈀 |
 | MSP-20MT 配備有φ100mm尺寸靶材電極、可與4英寸晶圓兼容的濺射裝置。 該設備概念基于 MSP-20，可對更廣泛的樣品進行涂層。 | 銀、金、金-鈀、鉑、鉑-鈀 |
 | MSP-20TK 是專門為鎢濺射開發(fā)的設備。它對于超高分辨率 SEM 觀察也很有用。高容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。 使用氬氣作為氣氛氣體。風冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升。 | Ag、Au、Au-Pd、Pt、Pt-Pd W、Cr、Cu、Mo、Ni、Ta、Ti...等 |
