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避免半導(dǎo)體晶片厚度檢測(cè)劃傷設(shè)備-激光非接觸測(cè)厚儀

  • 發(fā)布日期:2021-06-30      瀏覽次數(shù):1062
    • 避免半導(dǎo)體晶片厚度檢測(cè)劃傷設(shè)備-激光非接觸測(cè)厚儀

      非接觸式厚度測(cè)量儀 OZUMA CL

      激光測(cè)量法

      OZUMA CL 視頻

      用于半導(dǎo)體晶片(Si硅晶片、GaAs、砷化鎵Ga)、砷(As)、玻璃、金屬等。它是。OZUMA CL非接觸式厚度測(cè)量裝置用于在背面拋光過程中或在每個(gè)制造過程中控制半導(dǎo)體晶片(Si硅晶片、GaAs、鎵(Ga)砷(As))的厚度(厚度)??捎糜诰A(厚度)控制的非接觸式測(cè)量。 

      分辨率為 0.01 μm。

      由于是激光非接觸方式 ,因此無需擔(dān)心探針等劃傷被測(cè)物體。由于是非接觸式,因此可以對(duì)同一被測(cè)物進(jìn)行厚度(厚度)、翹曲度、平行度等重復(fù)測(cè)量。由于激光傳感頭上下相對(duì)放置,因此可以準(zhǔn)確測(cè)量厚度,而不受被測(cè)物體“滑行”引起的抬升的影響。

       

    聯(lián)系方式
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