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更新日期:2024-03-17
簡(jiǎn)要描述:
日本napson手持式探針的電阻測(cè)量?jī)xEC-80P只需觸摸手持式探頭即可測(cè)量電阻。在電阻/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換使用JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
日本napson手持式探針的電阻測(cè)量?jī)xEC-80P
使用手持式探針的手動(dòng)無(wú)損(渦流法)電阻測(cè)量?jī)x
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)xi)
測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
日本napson手持式探針的電阻測(cè)量?jī)xEC-80P
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽(yáng)能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)